公開(公告)號
|
CN1775209A
|
公開(公告)日
|
2006.05.24
|
申請(專利)號
|
CN200410090817.9
|
申請日期
|
2004.11.15
|
專利名稱
|
一種磁性靶向緩釋型卡托普利及其制備方法
|
主分類號
|
A61K31/401(2006.01)I
|
分類號
|
A61K31/401(2006.01)I;A61K31/555(2006.01)I;A61K9/00(2006.01)I;A61P9/12(2006.01)I;A61P9/04(2006.01)I
|
分案原申請?zhí)? |
|
優(yōu)先權(quán)
|
|
申請(專利權(quán))人
|
北京化工大學(xué)
|
發(fā)明(設(shè)計)人
|
段 雪;張 慧;孫 輝
|
地址
|
100029北京市朝陽區(qū)北三環(huán)東路15號
|
頒證日
|
|
國際申請
|
|
進(jìn)入國家日期
|
|
專利代理機(jī)構(gòu)
|
北京思海天達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
|
代理人
|
何俊玲
|
國省代碼
|
北京;11
|
主權(quán)項
|
一種磁性靶向緩釋型卡托普利,其化學(xué)式為: (M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl-)a(Cpl2-)b(Bn-)c·mH2O/(MP)y 其中M2+是二價金屬離子Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任何一種;M3+是三價金屬離子Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一種; Cpl-、Cpl2-分別代表層間一價、二價卡托普利陰離子; Bn-為荷電量為n的無機(jī)陰離子,Bn-可以不存在或為CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一種; 0.1<X<0.8;a、b、c分別為Cpl-、Cpl2-、Bn-的數(shù)量,且a+2×b+n×c=X;m為結(jié)晶水?dāng)?shù)量,0.01<m<4; MP代表磁性物質(zhì)MgFe2O4、NiFe2O4、CoFe2O4、ZnFe2O4、MnFe2O4或Fe3O4中的任何一種;y為MP的數(shù)量,0.001<y<1; 該磁性緩釋劑的比飽和磁化強(qiáng)度為1.0-6.0emu/g,粒度分布在20-200nm,磁性緩釋劑中卡托普利質(zhì)量百分含量為10-50%;緩釋持效期是0.4-13h。
|
摘要
|
本發(fā)明涉及一種磁性靶向緩釋型卡托普利及其制備方法。本發(fā)明以尖晶石型鐵氧體及四氧化三鐵為磁性物種,陰離子層狀材料LDHs為主體,卡托普利為插層客體,通過自組裝實現(xiàn)了Cpl-LDHs/MP的結(jié)構(gòu)設(shè)計。該磁性卡托普利緩釋劑為殼核型結(jié)構(gòu),即在磁性納米顆粒外包覆層狀材料Cpl-LDHs,比飽和磁化強(qiáng)度為1.0-6.0emu/g,其顆粒粒度分布在20-200nm。該磁性緩釋劑中卡托普利質(zhì)量百分含量為10-50%;緩釋持效期可達(dá)到0.4h-13h。
|
國際公布
|
|